兩槽式冷熱沖擊試驗(yàn)箱 散熱器測(cè)試

安全保護(hù)裝置

兩槽式冷熱沖擊試驗(yàn)箱 散熱器測(cè)試

應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

• 模擬環(huán)境：能夠精準(zhǔn)模擬芯片在現(xiàn)實(shí)應(yīng)用中可能遭遇的溫度變化環(huán)境，讓芯片充分暴露在劇烈的溫度變化條件下，有效檢測(cè)芯片在不同溫度梯度下的性能表現(xiàn)，如電氣參數(shù)是否穩(wěn)定、信號(hào)傳輸是否準(zhǔn)確無(wú)誤等，進(jìn)而發(fā)現(xiàn)潛在的材料缺陷、封裝問(wèn)題或線路設(shè)計(jì)瑕疵.

• 檢測(cè)熱應(yīng)力影響：芯片在溫度急劇變化過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生熱應(yīng)力，冷熱沖擊試驗(yàn)箱的反復(fù)高低溫循環(huán)沖擊，可使芯片內(nèi)部的熱應(yīng)力不斷累積和釋放，從而精準(zhǔn)地篩選出那些在熱應(yīng)力作用下容易出現(xiàn)結(jié)構(gòu)損壞、連接點(diǎn)斷裂或分層等問(wèn)題的芯片，提前發(fā)現(xiàn)并解決此類問(wèn)題，提高芯片在長(zhǎng)期使用過(guò)程中的結(jié)構(gòu)完整性和連接可靠性.

• 助力研發(fā)加速：在芯片研發(fā)階段，冷熱沖擊試驗(yàn)箱能夠在較短時(shí)間內(nèi)對(duì)大量芯片樣本進(jìn)行全面且深入的可靠性測(cè)試，快速獲取芯片在不同溫度沖擊條件下的性能數(shù)據(jù)和失效模式。研發(fā)人員依據(jù)這些數(shù)據(jù)，可及時(shí)對(duì)芯片的設(shè)計(jì)方案、材料選型以及制造工藝進(jìn)行優(yōu)化與改進(jìn)，加快芯片研發(fā)進(jìn)度，降低研發(fā)成本，使芯片能夠更快地滿足市場(chǎng)需求和相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求.

• 保障關(guān)鍵應(yīng)用：芯片在通信、醫(yī)療、汽車電子等關(guān)鍵領(lǐng)域的可靠性至關(guān)重要。冷熱沖擊試驗(yàn)箱通過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試，確保芯片在這些高要求領(lǐng)域中能夠承受溫度變化的考驗(yàn)，為整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，有力地保障了各行業(yè)關(guān)鍵應(yīng)用的順利進(jìn)行，避免因芯片故障引發(fā)的嚴(yán)重后果和巨大損失.

技術(shù)參數(shù)：

1.溫度范圍：-20℃～150℃
2.濕度范圍：20%～98%R.H
3.溫度均勻度：≤±2℃（空載時(shí)）
4.濕度均勻度：+2%-3%R.H
5.溫度波動(dòng)度：≤±0.5℃（空載時(shí)）
6.濕度波動(dòng)度：±2%
7.溫度偏差：≤±2℃
8.濕度偏差：≤±2%
9.降溫速率：0.7～1.0℃/min
10.升溫速率：1.0～3.0℃/min
11.時(shí)間設(shè)定范圍：0～999小時(shí)
12.電源電壓：380V±10%
13.設(shè)備總功率：3KW～15KW