半導(dǎo)體芯片測(cè)試需覆蓋工況，快速溫變測(cè)試箱需實(shí)現(xiàn) - 60℃至 180℃超寬溫域控制，且溫度波動(dòng)度需≤±0.3℃，均勻性≤±0.5℃。例如車規(guī)級(jí) MCU 芯片測(cè)試需模擬 - 40℃極寒啟動(dòng)與 150℃高溫運(yùn)行場(chǎng)景，設(shè)備需在 1 小時(shí)內(nèi)完成 10 次循環(huán)切換，且每個(gè)溫度節(jié)點(diǎn)的控溫偏差不超過 0.2℃，避免因溫度漂移導(dǎo)致芯片電性能測(cè)試數(shù)據(jù)失真，這一精度要求較常規(guī)工業(yè)設(shè)備提升 3 倍以上。

半導(dǎo)體芯片測(cè)試需同步采集高頻電信號(hào)（如 10GHz 以上射頻信號(hào)），快速溫變測(cè)試箱需具備 EMC 電磁屏蔽功能，屏蔽效能需達(dá)到 GB/T 17626.3-2021 中 3 級(jí)以上標(biāo)準(zhǔn)（10kHz-1GHz 頻段衰減≥40dB）。箱體需采用鍍鋅鋼板 + 銅網(wǎng)雙層屏蔽結(jié)構(gòu)，測(cè)試接口需配備 EMI 濾波器，避免設(shè)備自身溫控系統(tǒng)產(chǎn)生的電磁干擾影響芯片測(cè)試信號(hào)，確保測(cè)試數(shù)據(jù)信噪比≥60dB。

低溫測(cè)試階段（≤-40℃），快速溫變測(cè)試箱需配備防結(jié)露系統(tǒng)，通過腔體除濕（濕度≤5% RH）與觀察窗加熱膜雙重防護(hù)，避免冷凝水接觸芯片導(dǎo)致短路。同時(shí)箱體需具備強(qiáng)化絕緣設(shè)計(jì)，測(cè)試區(qū)域?qū)Φ亟^緣電阻≥100MΩ，耐電壓≥2500V AC，防止高壓測(cè)試場(chǎng)景下的漏電風(fēng)險(xiǎn)，符合 IEC 61010-1 安全標(biāo)準(zhǔn)。