一、性能參數(shù)變化監(jiān)測(cè)

1. 電學(xué)性能：在耐寒測(cè)試中，低溫會(huì)使半導(dǎo)體材料的載流子遷移率降低，導(dǎo)致電阻增大。需重點(diǎn)監(jiān)測(cè)材料的電阻率、導(dǎo)電類型等參數(shù)變化。例如，對(duì)于硅基半導(dǎo)體，低溫下本征載流子濃度降低，可能影響其作為半導(dǎo)體器件核心部分的性能。在耐濕熱測(cè)試時(shí)，潮濕環(huán)境中的水汽可能滲入半導(dǎo)體材料內(nèi)部，引發(fā)離子遷移，改變電學(xué)性能。如在高溫高濕環(huán)境下，金屬電極與半導(dǎo)體材料界面處可能發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致接觸電阻增大，影響器件的導(dǎo)通性能。

2. 光學(xué)性能：部分半導(dǎo)體材料用于光電器件，如發(fā)光二極管（LED）和光電探測(cè)器。在耐寒耐濕熱測(cè)試中，需關(guān)注其發(fā)光效率、波長(zhǎng)漂移等光學(xué)性能變化。低溫可能使半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)改變，影響發(fā)光波長(zhǎng)和強(qiáng)度。濕熱環(huán)境則可能導(dǎo)致材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)變化，影響光的吸收與發(fā)射效率。例如，有機(jī)半導(dǎo)體材料在濕熱環(huán)境下，分子結(jié)構(gòu)可能發(fā)生水解等反應(yīng)，嚴(yán)重影響其光學(xué)性能。

二、結(jié)構(gòu)完整性檢測(cè)

1. 材料微觀結(jié)構(gòu)：借助掃描電子顯微鏡（SEM）、透射電子顯微鏡（TEM）等技術(shù)，在測(cè)試前后對(duì)半導(dǎo)體材料微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析。耐寒測(cè)試中，熱脹冷縮可能導(dǎo)致材料內(nèi)部產(chǎn)生應(yīng)力，引發(fā)晶格缺陷或位錯(cuò)。耐濕熱測(cè)試時(shí)，水汽侵蝕可能使材料的晶體結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，如某些化合物半導(dǎo)體可能出現(xiàn)成分偏析。

2. 封裝結(jié)構(gòu)：半導(dǎo)體器件通常有封裝保護(hù)，在耐寒耐濕熱測(cè)試中，封裝結(jié)構(gòu)完整性至關(guān)重要。低溫下，封裝材料與半導(dǎo)體芯片熱膨脹系數(shù)不同，可能導(dǎo)致界面處產(chǎn)生裂紋。濕熱環(huán)境中，水汽可能透過封裝材料進(jìn)入內(nèi)部，對(duì)芯片造成腐蝕。例如，塑料封裝的半導(dǎo)體器件在濕熱環(huán)境下，水汽可能使塑料老化、開裂，進(jìn)而影響器件的可靠性。

三、測(cè)試條件精準(zhǔn)模擬

1. 溫度與濕度控制：試驗(yàn)箱的溫度控制精度需達(dá)到 ±0.5℃甚至更高，以準(zhǔn)確模擬不同寒冷程度。濕度控制同樣關(guān)鍵，相對(duì)濕度誤差應(yīng)控制在 ±3% 以內(nèi)，確保耐濕熱測(cè)試中濕度條件的穩(wěn)定性。此外，溫濕度變化速率也需精準(zhǔn)控制，模擬實(shí)際使用中可能遇到的快速溫濕度變化場(chǎng)景。

2. 環(huán)境氣氛模擬：根據(jù)半導(dǎo)體材料實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景，模擬相應(yīng)的環(huán)境氣氛。如在模擬戶外應(yīng)用時(shí)，試驗(yàn)箱內(nèi)可通入一定比例的氧氣、二氧化碳等氣體，研究其與水汽共同作用對(duì)半導(dǎo)體材料的影響。對(duì)于工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景，還需考慮模擬含有腐蝕性氣體的環(huán)境。